规格书 |
IPB,IPP039N04L G |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 40V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 80A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 3.9 mOhm @ 80A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2V @ 45µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 78nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 6100pF @ 25V |
功率 - 最大 | 94W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
包装材料 | Tube |
P( TOT ) | 94W |
匹配代码 | IPP039N04L G |
安装 | THT |
R( THJC ) | 1.6K/W |
LogicLevel | YES |
包装 | TO220-3 |
单位包 | 500 |
标准的提前期 | 99 weeks |
最小起订量 | 500 |
Q(克) | 28nC |
LLRDS (上) | 0.0039Ohm |
汽车 | NO |
LLRDS (上)在 | 4.5V |
我(D ) | 80A |
V( DS ) | 40V |
的RDS(on ) at10V | 0.0052Ohm |
无铅Defin | RoHS-conform |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 80A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2V @ 45µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
供应商设备封装 | PG-TO220-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 3.9 mOhm @ 80A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 94W |
标准包装 | 500 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 6100pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 78nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-220-3 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 80 A |
封装/外壳 | TO-220 |
零件号别名 | IPP039N04LGXKSA1 SP000680782 |
下降时间 | 6 ns |
安装风格 | Through Hole |
产品种类 | MOSFET |
商品名 | OptiMOS |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 175 C |
RoHS | RoHS Compliant |
典型关闭延迟时间 | 38 ns |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
系列 | IPP039N04 |
RDS(ON) | 3.9 mOhms |
功率耗散 | 94 W |
最低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 5.4 ns |
漏源击穿电压 | 40 V |
Continuous Drain Current Id | :80A |
Drain Source Voltage Vds | :40V |
On Resistance Rds(on) | :3.1mohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
Threshold Voltage Vgs | :1.2V |
功耗 | :94W |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :175°C |
Transistor Case Style | :TO-220 |
No. of Pins | :3 |
MSL | :- |
Current Id Max | :80A |
工作温度范围 | :-55°C to +175°C |
晶体管类型 | :Power MOSFET |
Voltage Vgs Max | :20V |
Weight (kg) | 0.002 |
Tariff No. | 85412900 |
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